| Τόπος καταγωγής: | Κίνα |
|---|---|
| Μάρκα: | TX TELSIG |
| Πιστοποίηση: | SGS, ISO9001 |
| Αριθμό μοντέλου: | YP163137 |
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 1 |
| Τιμή: | Negotiation |
| Όροι πληρωμής: | L/C, T/T, Paypal, κ.λπ. |
| Φάσμα συχνότητας: | 1500-1700MHz | Κέρδος (τύπος): | 31dB |
|---|---|---|---|
| Δύναμη παραγωγής: | 5W | Ήρεμο ρεύμα: | 50mA |
| Υψηλό φως: | ενισχυτής δύναμης RF,ενισχυτής ραδιοσυχνότητας |
||
GaAs MMIC ενισχυτών 1500-1700MHz 5W TXtelsig YP163137 RF ενισχυτής δύναμης
Το YP163137 είναι ένα υψηλής ισχύος, ο υψηλής απόδοσης ενισχυτής δύναμης σκοπεύει για την πυξίδα τη δορυφορική επικοινωνία και τη ναυσιπλοΐα. Ο ενισχυτής δύναμης παρέχει ένα συνήθες όφελος 31 DB και P1dB 37dBm με την εισαγωγή CW, χαρακτηριστική ήρεμη προκατειλημμένη συνθήκη είναι 6.0V σε 50mA. Η συσκευή κατασκευάζεται σε μια προηγμένη InGaP/GaAs διαδικασία κρυσταλλολυχνιών ετεροεπαφής διπολική (HBT). Το YP163137 συγκεντρώνεται 16 καρφώνει, 4mm×4mm, συσκευασία QFN, είναι εσωτερικά ενσωματωμένο με στη μονάδα προστασίας ESD.
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
■1.5~1.7GHz φάσμα συχνότητας
■31dB κέρδος (τύπος)
■≥37dBm P1dB με την εισαγωγή σημάτων CW
■≥17dB επιστροφής απώλεια εισαγωγής
■3.3~6.0V λειτουργία
■50mA ήρεμο ρεύμα
■Ενσωματωμένος ανιχνευτής δύναμης παραγωγής
■Ενσωματωμένη μονάδα προστασίας ESD
■Προηγμένη τεχνολογία InGaP/GaAs HBT
Εφαρμογές
■Δορυφορική επικοινωνία πυξίδων
■Δορυφορική ναυσιπλοΐα πυξίδων
Προσοχή! Ευαίσθητη συσκευή ESD:
Εκτίμηση ESD: Class1C
Αξία: Passes≥1000V λεπτό.
Δοκιμή: Πρότυπο ανθρώπινου σώματος (HBM)
Πρότυπα: JEDEC τυποποιημένο JESD22-A114
Εκτίμηση ESD: Κατηγορία IV
Αξία: Περάσματα ≥1000V λεπτό.
Δοκιμή: Χρεωμένο πρότυπο συσκευών (CDM)
Πρότυπα: JEDEC τυποποιημένο JESD22-C101
Εκτίμηση MSL: Επίπεδο 3 στη μεταφορά +260 °C
επανακυκλοφορία
Πρότυπα: Πρότυπα j-STD-020 JEDEC
| Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδα |
| Δύναμη εισαγωγής RF | 10 | dBm |
| Τάση ανεφοδιασμού | -0,5 έως +6,0 | Β |
| Προκατειλημμένη τάση | -0,5 έως +3,0 | Β |
| Ρεύμα ΣΥΝΕΧΟΥΣ ανεφοδιασμού | 2200 | μΑ |
| Λειτουργούσα περιβαλλοντική θερμοκρασία | -40 έως +85 | °C |
| Θερμοκρασία αποθήκευσης | -40 έως +150 | °C |
| Περιγραφή καρφιτσών | ||
| Καρφώστε το αριθ. | Σύμβολο | Περιγραφή |
| 2 | RF ΜΈΣΑ | Εισαγωγή RF |
| 4, 7 | VREF1&2, VREF3 | Προκατειλημμένη τρέχουσα τάση ελέγχου |
| 5 | VCCB | Τάση ανεφοδιασμού για την προκατάληψη |
| 6 | VCTR | On/off τάση ελέγχου ισχύος |
| 9, 10, 11, 12 | RF ΈΞΩ (VCC3) | Παραγωγή και στάδιο 3 RF τάση συλλεκτών |
| 13 | VCC2 | Στάδιο 2 τάση συλλεκτών |
| 14 | PDET | Η δύναμη ανιχνεύει |
| 15 | VCCD | Τάση ανεφοδιασμού για τον ανιχνευτή ισχύος |
| 16 | VCC1 | Στάδιο 1 τάση συλλεκτών |
| 1,3,8 | NC/GND | Κανένα σύνδεση ή έδαφος |